芯片的制造包括沉积、光刻胶涂覆、曝光、显影、蚀刻、移植、剥离等工序，其中曝光是微芯片生产中的关键工序，ASML 正是处于半导体产业链中的曝光环节。

光刻机的作用原理有点像投影仪，首先由光刻设备投射的光源通过带有图案的掩模投射出来，经过透镜或镜子将图案聚焦在晶圆（类似于投影幕布）上。

不过投射之后形成的形状不是平面的而是立体的，通过蚀刻曝光或未受曝光的部分来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路，生出基础轮廓。此工艺过程被一再重复，将数十亿计的 MOSFET 或其他晶体管建构在硅晶圆上，形成一般所称的集成电路。

芯片在生产过程中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到制造环节的 50% 左右，占芯片生产成本的 1/3，光刻环节也决定着芯片的制程和性能水平。

细数光刻机发展的这么多年，入局者们基本围绕降低 CD（曝光关键尺寸，可作为判断分辨率的依据）展开竞争。

CD=k1* ( λ /NA )

CD 值越小表明曝光形成的关键尺寸越小水平越高，各大厂商能做的也就是降低波长 λ，提高镜头的数值孔径 NA，降低综合因素 k1。

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